时间：2025/8/5 12:32:12
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MDD1080-28N7 是一款由Mitsubishi Electric（三菱电机）制造的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，通常用于高功率电子应用，如工业电机驱动、逆变器和电力转换系统。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，提供了高效的功率开关性能。
集电极-发射极电压（Vce）：1200 V
集电极电流（Ic）：80 A
短路耐受能力：280 A（典型值）
最大工作温度：150℃
封装类型：双列直插式（Dual）
短路电流能力：支持短时过载
导通压降：约2.8 V（典型值）
热阻：Rth(j-c) = 0.35 K/W
绝缘等级：符合UL 94 V-0标准
MDD1080-28N7 具备卓越的功率处理能力和热稳定性，适用于各种高功率密度应用。其核心特性包括高耐压能力（1200V）和大额定集电极电流（80A），使其能够在严苛的工业环境中可靠运行。该模块采用先进的IGBT芯片技术，具有较低的导通压降（约2.8V）和开关损耗，从而提升了整体能效。
此外，MDD1080-28N7 支持短时过载能力，可在高负载条件下提供稳定的性能。其热阻为0.35 K/W，确保在高功率运行时仍能保持较低的芯片温度，提高系统的可靠性和寿命。模块还具备良好的绝缘性能，符合UL 94 V-0标准，确保在高电压应用中的安全性。
该IGBT模块采用双列直插式封装（Dual），便于安装和散热管理，适用于常见的工业逆变器、电机驱动和电源转换系统。其结构设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于减少系统噪声并提高整体信号完整性。
MDD1080-28N7 常用于工业电机驱动、变频器、不间断电源（UPS）、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及电能质量调节设备。该模块特别适用于需要高效能、高可靠性和高功率密度的电力电子系统，例如伺服驱动器、工业自动化设备和电动车辆的电力控制系统。
MDD1080-28N7 可以被以下型号替代：SKM80GB12T4ag（Semikron）、FF80R12KT4_B11（Infineon）、STGY80NB120VD（STMicroelectronics）
