时间：2025/7/18 8:44:05
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GRT0335C1HR75WA02D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于沟槽式 MOSFET 系列。该芯片具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效率、高频率的电源转换应用。其封装形式为 DFN8（2x2mm），适合紧凑型设计需求，同时具备良好的散热性能。
型号：GRT0335C1HR75WA02D
类型：N-Channel MOSFET
封装：DFN8（2x2mm）
VDS（漏源极电压）：40V
RDS(on)（导通电阻）：7.5mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
ID（连续漏极电流）：9A
Qg（栅极电荷）：20nC
fT（截止频率）：2.3MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GRT0335C1HR75WA02D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有效减少导通损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，能够适应高频应用场合。
3. 小尺寸封装，适合空间受限的设计。
4. 强大的热性能表现，确保在高功率条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺。
6. 支持高电流负载能力，适合多种功率转换场景。
7. 宽泛的工作温度范围，可满足极端环境下的使用需求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器中的同步整流和开关应用。
2. 开关电源（SMPS）中的主开关器件。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. LED 驱动电路中的电流调节。
5. 笔记本电脑及平板电脑适配器中的功率管理。
6. 消费类电子产品中的高效能电源模块。
7. 工业自动化设备中的电源转换与控制部分。
GRT0335C1HR75WA01D, IRF7843, AO3400A
