时间：2025/7/10 16:29:52
阅读：16
GRT0335C1H910JA02D 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用先进的封装工艺，具有出色的开关性能和低导通电阻特性，广泛应用于电源管理、通信设备及工业控制等领域。
这款 GaN 晶体管结合了高性能与可靠性，能够显著提升系统的整体效率并减小系统体积。其独特的设计使其在高频工作条件下表现出色，同时支持高电压操作。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：10A
导通电阻：90mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：1200pF
反向恢复时间：无（由于是 GaN 器件）
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
1. 采用氮化镓材料，具备更高的电子迁移率和击穿场强，适合高压高频应用。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗，提升系统效率。
3. 高速开关性能，支持 MHz 级别的开关频率，适用于高频电源转换场景。
4. 内置优化保护机制，增强器件稳定性与可靠性。
5. 小型化封装设计，有助于减少 PCB 占用面积。
6. 出色的热性能表现，确保在高负载条件下的稳定运行。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 光伏逆变器
4. 无线充电设备
5. 数据中心供电模块
6. 工业自动化与机器人控制
7. 通信基站电源
8. 汽车电子中的 DC/DC 转换器
GRT0335C1H910JA02E
