时间：2025/7/10 10:53:15
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GRT0335C1H750JA02D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
该芯片属于沟道增强型 MOSFET，能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现，并具备良好的热稳定性和抗静电能力。
型号：GRT0335C1H750JA02D
类型：N-Channel Power MOSFET
额定电压：75V
额定电流：90A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：48nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GRT0335C1H750JA02D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功耗并提升效率。
2. 高额定电流和电压能力，适用于多种工业及消费电子领域。
3. 快速的开关速度，有效减少开关损耗。
4. 出色的热性能，有助于提高系统的散热能力和可靠性。
5. 具备强大的抗静电能力，确保在复杂环境下的稳定性。
6. 宽广的工作温度范围，适应各种极端条件下的应用需求。
这款功率 MOSFET 主要用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. DC/DC 转换器的核心开关组件。
4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
5. 太阳能逆变器和电动汽车等新能源领域的功率转换模块。
6. 各类需要大电流和低损耗的电力电子应用。
GRT0335C1H750JA01D, IRF740, STP90N06L
