GRT0335C1H360JA02D 是一款由 Griffin Technology 生产的高性能功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该芯片具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低能耗。
它采用了先进的半导体制造工艺,能够在高频条件下保持稳定的性能表现,同时具备强大的过流保护和热管理能力。
型号:GRT0335C1H360JA02D
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-247
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):36A
导通电阻(Rds(on)):0.035Ω
栅极电荷(Qg):90nC
开关频率:高达 1MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GRT0335C1H360JA02D 的主要特性包括:
1. 高耐压设计:最大漏源电压为 650V,适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻:仅为 0.035Ω,可有效减少导通损耗。
3. 快速开关能力:支持高达 1MHz 的开关频率,适合高频应用场景。
4. 强大的过流保护功能:内置过流限制机制,防止器件因过载而损坏。
5. 优异的热性能:采用 TO-247 封装,散热性能优越,确保长时间稳定运行。
6. 广泛的工作温度范围:可在 -55℃ 至 +175℃ 的环境下正常工作,适应多种极端条件。
GRT0335C1H360JA02D 常用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
- 工业级 AC-DC 和 DC-DC 转换器
- 高效逆变器
2. 电机驱动:
- 无刷直流电机控制
- 步进电机驱动
3. 汽车电子:
- 电动车窗、座椅调节系统
- 发动机控制单元 (ECU)
4. 可再生能源:
- 太阳能逆变器
- 风能转换系统
5. 其他应用:
- UPS 不间断电源
- LED 照明驱动
GRT0335C1H360HA02D
GRT0335C1H360GA02D
IRFP460
FDP18N65C
STP36NF06