VNP35N07-E 是一款 N 沱道场效应晶体管(MOSFET),属于 Vishay 公司的 VNP 系列。该器件采用 TO-252 封装,适用于需要低导通电阻和快速开关特性的应用场合。其额定电压为 70V,最大漏极电流可达 3.5A,具有出色的热稳定性和电气性能。
VNP35N07-E 常用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景,能够有效降低功耗并提升系统的整体效率。
最大漏源电压:70V
最大漏极电流:3.5A
栅极-源极电压:±20V
导通电阻(典型值):0.14Ω
总功耗:1.1W
结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-252
VNP35N07-E 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力,可满足高频应用需求。
3. 高输入阻抗,简化了驱动电路设计。
4. 优异的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品制造要求。
6. 小型化封装,节省 PCB 空间,同时具备良好的散热性能。
VNP35N07-E 广泛应用于多种电子设备中,常见的应用场景包括:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. LED 驱动器中的电流调节元件。
5. 各类保护电路,如过流保护和短路保护。
6. 便携式设备中的电源管理模块。
VNQ007N07, IRFZ44N, FDN340P