时间：2025/7/4 23:12:16
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GRT0335C1ER11WA02D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率和高可靠性的应用场景设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各类电源管理和电机驱动应用。其封装形式和电气特性使得它在高温和高负载条件下依然能保持稳定的性能。
型号：GRT0335C1ER11WA02D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：98A
导通电阻(Rds(on))：1.1mΩ（典型值）
总功耗(Ptot)：175W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247-3
GRT0335C1ER11WA02D 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境，例如 DC-DC 转换器、PWM 控制电路等。
3. 高耐压能力（60V），确保在瞬态高压下仍能稳定运行。
4. 优秀的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持良好的性能。
5. 提供卓越的 ESD 和短路保护功能，增强了器件的可靠性。
6. 封装形式坚固耐用，便于散热和安装，适合工业级和汽车级应用。
这款功率 MOSFET 广泛应用于多种领域：
1. 开关电源(SMPS) 中的主开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 新能源汽车的电池管理系统(BMS) 和逆变器。
4. 工业自动化设备中的负载切换和控制。
5. 高效 DC-DC 转换器和 LED 驱动器。
6. 各类需要大电流和高效率的电力电子应用。
GRT0335C1ER11WA01D, GRT0335C1ER11XA02D
