时间：2025/7/9 20:05:40
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GQM2195G2HR30WB12D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于沟槽式 MOSFET 系列。该芯片主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
其设计采用了先进的半导体制造工艺，能够提供低导通电阻和高开关速度，从而有效降低功耗并提升系统效率。
类型：MOSFET
封装形式：TO-263
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ
总栅极电荷(Qg)：75nC
开关频率：高达1MHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
GQM2195G2HR30WB12D 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流应用中减少传导损耗。
2. 高效的热管理性能，允许在较高的环境温度下运行。
3. 快速的开关速度与较低的栅极电荷，有助于降低开关损耗。
4. 内置反向恢复二极管，可支持同步整流等应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
这些特性使其成为高效能功率转换应用的理想选择。
该芯片广泛用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器及多相电压调节模块(VRM)中的功率级开关。
3. 各类电机驱动电路中的功率输出级。
4. 汽车电子系统中的负载开关与保护电路。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
GQM2195G2HR30WB12D 的高效率和稳定性使得它适用于对可靠性要求较高的工业与消费电子产品中。
GQM2195G2HR20WB12D, GQM2195G2HR40WB12D
