时间：2025/7/9 3:15:36
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GQM2195G2H6R1DB12J 是一款高性能的存储芯片，主要用于需要大容量和高速数据传输的应用场景。该芯片采用了先进的制造工艺，具有高密度存储单元和低功耗特性，广泛应用于工业、通信和消费电子领域。
该型号属于 NAND Flash 存储器系列，支持多级单元（MLC）技术，能够提供更大的存储容量和更长的数据保存时间。此外，它还集成了 ECC（错误检查与纠正）功能，确保数据的准确性和可靠性。
类型：NAND Flash
容量：256GB
接口：PCIe Gen 3.0 x4
工作电压：1.8V / 3.3V
数据传输速率：高达 3500 MB/s（读取），2500 MB/s（写入）
封装形式：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
纠错能力：BCH ECC 高达 72 bits/1KB
endurance：3000 P/E cycles
GQM2195G2H6R1DB12J 具有以下显著特性：
1. 高性能：采用 PCIe Gen 3.0 接口，支持 NVMe 协议，能够实现极高的读写速度。
2. 大容量：单颗芯片即可提供 256GB 的存储空间，适合对存储密度要求较高的应用。
3. 低功耗：优化的电路设计使芯片在运行时保持较低的功耗水平，延长设备续航时间。
4. 可靠性：内置 BCH ECC 纠错功能，有效减少数据错误的发生概率，提高数据完整性。
5. 宽温支持：能够在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 工业控制：用于工业计算机、PLC 和其他需要可靠存储的工业设备中。
2. 通信设备：适用于路由器、交换机等网络设备中的固件存储和日志记录。
3. 消费电子产品：如平板电脑、智能电视和其他多媒体设备中的数据存储。
4. 车载系统：用于汽车导航、信息娱乐系统和驾驶辅助系统的数据存储解决方案。
5. 医疗设备：为医疗影像设备和监护仪器提供高可靠的存储支持。
GQM2195G2H6R1DB12K, GQM2195G2H6R1DB12L
