时间：2025/6/16 9:19:23
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GQM2195G2H1R0CB12D 是一款高性能的功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够有效提升系统的效率和可靠性。
此型号为 N 沟道增强型 MOSFET，封装形式为 LFPAK88，适合表面贴装技术（SMT）应用，便于自动化生产和提高电路板的紧凑性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：174A
导通电阻（典型值）：0.65mΩ
栅极电荷：80nC
开关时间：开启延迟时间 13ns，关断延迟时间 18ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻确保了器件在高电流应用中的高效运行，减少了功率损耗。
2. 高额定电流能力支持大功率应用场景，例如工业电机控制和电动汽车系统。
3. 快速开关特性使其非常适合高频开关电源设计，有助于减小滤波器尺寸并优化整体性能。
4. 先进的封装技术提高了散热效率，并增强了器件的机械稳定性。
5. 宽泛的工作温度范围适应多种恶劣环境条件下的使用需求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和主开关管。
2. 电动车辆及混合动力汽车中的逆变器模块。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和电磁阀控制。
4. 大功率 LED 照明驱动电路。
5. 各类 DC/DC 转换器和负载切换开关。
GQM2195G2H1R0CB13D, GQM2195G2H1R0CB14D
