时间：2025/7/1 13:08:13
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GQM2195C2ER75WB12D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用先进的制程工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流承载能力的特点，能够显著提高系统效率并减少热量产生。
此型号为 N 沟道增强型 MOSFET，封装形式通常为表面贴装类型，便于自动化生产和集成到紧凑型设计中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：开启时间 15ns，关闭时间 18ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低功耗。
2. 快速开关性能，适合高频应用场景。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 紧凑的封装设计，节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 支持高温操作环境，适用于工业及汽车级应用。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
4. 工业控制设备中的功率管理模块。
5. LED 照明驱动器中的高效功率转换组件。
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP17N6S
AO3400
