时间：2025/5/15 11:56:00
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GQM2195C2A181JB12D 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种电源管理应用。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
其主要功能是在电路中提供高效的电流切换和控制，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。
型号：GQM2195C2A181JB12D
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
额定电压：60V
额定电流：130A
导通电阻：1.8mΩ（典型值）
栅极电荷：45nC（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
GQM2195C2A181JB12D 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，使其适合大功率应用。
3. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
5. 高度耐用，支持严苛的工作条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
这款功率 MOSFET 可用于多种场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 工业电机驱动和逆变器系统。
3. 大功率负载开关设计。
4. 汽车电子领域，例如 DC/DC 转换器和启动控制。
5. 电池保护电路和能量存储系统。
6. 各种需要高效电流控制的应用。
GQM2195C2A181JB12B, IRF2807ZPBF, FDP17N60E
