时间：2025/5/22 2:21:38
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GQM1875G2E100JB12D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，能够显著提升系统的效率与稳定性。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET 系列，适用于中高电压应用场景，能够在高频条件下实现高效的功率转换。
最大漏源电压：750V
连续漏极电流：12A
导通电阻：100mΩ
栅极电荷：60nC
开关速度：100kHz - 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
GQM1875G2E100JB12D 具备以下特点：
1. 高耐压能力：最大漏源电压高达 750V，适用于高压环境。
2. 低导通电阻：仅 100mΩ，有助于降低功耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷和快速开关速度使其非常适合高频应用。
4. 出色的热稳定性：芯片设计考虑了散热需求，确保在高温条件下长期稳定运行。
5. 强大的抗干扰能力外部噪声对系统的影响。
6. 小封装设计：便于在紧凑型电路板上布局，同时满足现代电子设备的小型化需求。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
3. 逆变器：为光伏逆变器和其他电力转换系统提供核心功率器件。
4. LED 驱动：用于大功率 LED 照明的恒流控制。
5. 工业自动化：包括工业控制器、伺服驱动器以及其他高可靠性设备。
6. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、手机快充等产品中的功率管理部分。
GQM1875G2E150JB12D, IRFP460, STP75N10M3
