时间：2025/6/29 13:22:56
阅读：3
GQM1875C2E300GB12D 是一款高性能的工业级功率 MOSFET 芯片，适用于高电压和大电流应用环境。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，能够有效提升系统的效率和可靠性。
该芯片广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能量转换的场景中。
型号：GQM1875C2E300GB12D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1200V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ
总功耗（Ptot）：400W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3L
GQM1875C2E300GB12D 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频工作场景，减少开关损耗。
3. 高耐压设计，确保在高压环境下稳定运行。
4. 出色的热性能，内置优化的散热路径以增强长期可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业要求。
6. 提供过流保护和短路保护功能，进一步提升安全性。
该芯片适用于多种高功率电子设备和系统，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 太阳能逆变器
4. 不间断电源（UPS）
5. 电动车充电器
6. 高压直流转换器
7. 大功率 LED 驱动器
GQM1875C2E300GB12D 的高耐压和大电流特性使其成为这些应用的理想选择。
GQM1875C2E300GB12H, IRFP260N, STP300N12F5
