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GQM1555C2DR60WB01D 发布时间 时间:2025/6/6 9:28:28 查看 阅读:3

GQM1555C2DR60WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽式结构和场效应晶体管技术,能够在高电流和高电压环境下提供卓越的性能。
  这款功率MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性,非常适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他电力电子设备中。其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和高效的散热管理。

参数

型号:GQM1555C2DR60WB01D
  最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:55A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GQM1555C2DR60WB01D具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低导通损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度和低栅极电荷,适用于高频应用环境。
  3. 高额定电流能力,支持大功率负载。
  4. 出色的热性能,确保在高温条件下稳定运行。
  5. 良好的抗静电能力和鲁棒性,提高了产品的可靠性和耐用性。
  6. 小型化封装设计,节省电路板空间。
  这些特点使得GQM1555C2DR60WB01D成为高效功率转换应用的理想选择。

应用

GQM1555C2DR60WB01D广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业控制和自动化系统中的功率调节模块。
  4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)及逆变器。
  5. 各类DC-DC转换器和升压/降压转换器。
  6. 充电器和适配器等消费类电子产品中的功率处理单元。
  总之,任何需要高效功率切换和控制的应用场景都可以考虑使用该型号。

替代型号

GQM1555C2DR60WB02D,GQM1555C2DR60WB03D

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GQM1555C2DR60WB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥1.00158卷带(TR)
  • 系列GQM
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.6 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-