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GQM1555C2DR60CB01D 发布时间 时间:2025/7/12 1:52:17 查看 阅读:12

GQM1555C2DR60CB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适合需要高效能和低损耗的应用场景。
  这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式为 DPAK(TO-252),能够有效降低热阻并提高散热性能。此外,它还具有出色的耐用性和可靠性,能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:1.3mΩ
  栅极电荷:79nC
  开关时间:10ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GQM1555C2DR60CB01D 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 高电流承载能力,可满足大功率应用需求。
  3. 快速的开关速度,减少开关损耗,适用于高频操作。
  4. 优异的热性能设计,确保长期稳定运行。
  5. 高可靠性的制造工艺,符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
  6. 小型化封装,节省 PCB 空间,便于布局设计。
  7. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种极端环境条件。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
  3. 电动工具、家用电器的电机驱动控制。
  4. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
  7. 各类需要高效能功率开关的应用场景。

替代型号

GQM1555C2DR60CB02D, GQM1555C2DR60CB03D

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GQM1555C2DR60CB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.77981卷带(TR)
  • 系列GQM
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.6 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-