GQM1555C2DR60CB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适合需要高效能和低损耗的应用场景。
这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式为 DPAK(TO-252),能够有效降低热阻并提高散热性能。此外,它还具有出色的耐用性和可靠性,能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:48A
导通电阻:1.3mΩ
栅极电荷:79nC
开关时间:10ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GQM1555C2DR60CB01D 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高电流承载能力,可满足大功率应用需求。
3. 快速的开关速度,减少开关损耗,适用于高频操作。
4. 优异的热性能设计,确保长期稳定运行。
5. 高可靠性的制造工艺,符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
6. 小型化封装,节省 PCB 空间,便于布局设计。
7. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种极端环境条件。
该芯片适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电动工具、家用电器的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
7. 各类需要高效能功率开关的应用场景。
GQM1555C2DR60CB02D, GQM1555C2DR60CB03D