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LBAS21LT1G/BAS21LT1G 发布时间 时间:2025/8/13 2:30:09 查看 阅读:15

LBAS21LT1G/BAS21LT1G 是一款由ON Semiconductor生产的双引线表面贴装硅小信号开关二极管。该器件设计用于通用开关应用,具备快速开关能力和低电容特性,适用于需要高频操作的电路。该二极管采用SOT-23封装,适合空间受限的高密度PCB设计。

参数

类型:小信号开关二极管
  最大反向电压(VR):100V
  最大平均整流电流(IO):200mA
  峰值反向电压(VRM):100V
  正向电压降(VF):1.25V @ 100mA
  反向漏电流(IR):100nA @ 100V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  结电容(Cj):4pF @ 0V
  封装形式:SOT-23

特性

LBAS21LT1G/BAS21LT1G 二极管具有多个优良的电气和物理特性。首先,其100V的反向电压能力使其适用于多种中高压开关电路。其次,200mA的最大平均整流电流足以满足大多数低功率应用的需求。该器件的正向压降为1.25V,在100mA电流下表现良好,有助于减少功率损耗。
  此外,该二极管的反向漏电流非常低,在100V反向电压下仅为100nA,确保在高温或高压环境下仍能保持稳定性能。其结电容为4pF,在高频应用中表现出色,适用于射频(RF)开关、数据线路保护和信号整流等场景。
  采用SOT-23封装,体积小巧,便于在紧凑的PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性和机械强度。该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺。

应用

LBAS21LT1G/BAS21LT1G 主要用于各种电子设备中的小信号开关和整流应用。典型应用包括电源整流、信号检测、电压钳位、极性保护电路、射频开关以及数据线路保护等。由于其低电容和快速开关特性,它在通信设备、消费电子产品、工业控制系统和汽车电子中均有广泛应用。

替代型号

1N4148WS, BAS16, 1N4448

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