时间：2025/6/29 14:06:06
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GQM1555C2DR50BB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 D-PAK（TO-252），适用于表面贴装技术（SMT）。该型号专为需要高效能和可靠性的电路设计而优化。
该芯片属于 N 沟道增强型场效应晶体管，能够在高频条件下实现高效的电力转换。通过减少开关损耗和导通损耗，它能够显著提高系统的整体效率。此外，该芯片还具备强大的雪崩能力，可以承受短时间的过载情况，从而提升系统的稳定性和安全性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：43A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：238W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：D-PAK (TO-252)
工作频率：高达1MHz
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 4.5mΩ，有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 支持高达 1MHz 的开关频率，适合高频应用场合。
3. 具备快速的开关速度和较低的栅极电荷，进一步减少开关损耗。
4. 强大的雪崩能量吸收能力，增强在异常条件下的可靠性。
5. 高温稳定性，支持结温高达 +175℃，适应恶劣的工作环境。
6. 表面贴装封装，便于自动化生产和小型化设计。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料使用。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器的核心功率级组件。
3. 电机驱动电路中的功率控制器件。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. LED 驱动器中的功率开关元件。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
7. 工业自动化设备中的功率调节和分配模块。
GQM1555C2DR50BA01D, GQM1555C2DR50BC01D
