时间：2025/7/9 9:19:54
阅读：7
BUK626R2-40C是一款由安森美（ON Semiconductor）制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263-3封装，适用于需要高效率和低功耗的应用场合。它具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关应用中提供卓越的性能。
这款MOSFET广泛用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、负载开关等场景。其出色的电气特性和可靠性使其成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：6.2mΩ
栅极电荷：115nC
输入电容：1390pF
工作结温范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-263-3
BUK626R2-40C具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流应用中的高效运行，减少了能量损耗。
2. 高速开关能力，适合高频工作环境。
3. 优化的热性能设计，能够有效提升散热效果。
4. 较宽的工作温度范围，适应多种恶劣环境条件。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
该MOSFET可用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及AC-DC适配器。
2. 各类电机驱动与控制电路。
3. DC-DC转换器设计。
4. 负载切换和电池管理系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRLB8749PBF, FDP5580, STP18NF40
