时间：2025/6/29 14:08:17
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GQM1555C2D120JB01D 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效率、低导通电阻和快速开关性能的电路中。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术，具有出色的电气特性和可靠性，适用于广泛的工业和消费类电子产品领域。
型号：GQM1555C2D120JB01D
类型：N-Channel Power MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：1.2mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
功耗（PD）：225W
结温范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247-3
GQM1555C2D120JB01D 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频工作环境，减少开关损耗。
3. 高雪崩能量承受能力，增强在异常条件下的可靠性。
4. 热稳定性好，能够在较宽的温度范围内保持性能一致。
5. 封装坚固耐用，适合高功率密度的应用场景。
这些特性使得该功率 MOSFET 成为驱动电机、DC-DC 转换器、逆变器等应用的理想选择。
GQM1555C2D120JB01D 广泛应用于以下领域：
1. 电动车辆（EV/HEV）中的电机控制器和电池管理系统。
2. 工业自动化设备中的电源转换和驱动控制。
3. 通信电源和服务器电源中的高效 DC-DC 转换。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节。
5. 消费电子产品的快速充电适配器和无线充电模块。
其卓越的性能和可靠性使其能够胜任各种高功率、高效率的需求场景。
GQM1555C2D120HB01D
GQM1555C2D120LB01D
