时间：2025/7/23 14:47:54
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BUT70W 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。BUT70W适用于多种电源管理应用，如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电源管理系统。其封装形式为TO-220AB，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：70A
导通电阻（Rds(on)）：≤10mΩ（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
最大功耗（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-220AB
BUT70W具有多项优异的电气和热性能，适合高功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on) ≤10mΩ）确保在高电流工作时损耗较小，提高系统效率。其次，该MOSFET的最大漏极电流可达70A，使其适用于高功率负载的开关控制。此外，BUT70W的漏源电压额定值为100V，适用于多种中高功率电路。器件的栅极阈值电压较低（2V至4V），可在低压控制器下工作，提高了设计的灵活性。
在热管理方面，BUT70W采用TO-220AB封装，具备良好的散热能力，可有效降低结温，延长器件寿命。同时，该器件具有较高的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定工作。此外，BUT70W的开关速度快，有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效。最后，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，能够在极端条件下保持可靠性。
BUT70W广泛应用于需要高效功率控制的各类电子系统中。常见的应用包括直流电机驱动器、电源转换器（如Buck和Boost转换器）、负载开关电路、工业自动化设备以及电池管理系统。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源管理、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器等应用。由于其高电流和高电压能力，BUT70W也适用于高性能电源供应器和不间断电源（UPS）系统。
STP70NF70, IRF1404, FDP7030AL, FQP70N10
