GPS60B120 时间：2025/8/28 18:27:40 阅读：3

GPS60B120是一款由STMicroelectronics制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高效率的电源应用，具有低导通电阻和高耐压能力。GPS60B120采用TO-247封装，适用于各种工业和消费类电子产品中的功率管理与开关控制。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：120V
　　连续漏极电流（Id）：60A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.018Ω
　　栅极电荷（Qg）：约130nC
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

GPS60B120具有以下主要特性：
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。这使得该器件非常适合用于需要高效能功率转换的应用，如DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统。
　　其次，GPS60B120具备较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为60A，这使得它在高功率负载条件下仍能保持稳定运行。此外，该MOSFET的高耐压能力（120V）确保了其在高压环境中的可靠性和安全性。
　　第三，GPS60B120采用TO-247封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。这种封装形式适用于高功率应用，并有助于提高器件在高负载条件下的热管理能力。
　　最后，GPS60B120的工作温度范围宽，从-55℃到+175℃，使其能够在各种恶劣环境条件下稳定工作。这一特性使其适用于工业自动化、汽车电子和能源管理系统等对温度适应性要求较高的应用领域。

应用

GPS60B120广泛应用于多个领域，主要包括：
　　首先，在电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器和电池充电器，GPS60B120凭借其低导通电阻和高电流能力，可以有效提高电源转换效率并降低功耗。
　　其次，在电机控制和驱动电路中，该MOSFET可用于控制电机的启停和调速，其高电流承载能力和快速开关特性有助于实现精确的电机控制。
　　此外，GPS60B120还可用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，作为主开关元件，确保系统在电源中断时能够迅速切换到备用电源。
　　在汽车电子领域，GPS60B120可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）等应用，其宽工作温度范围和高可靠性满足了汽车环境的严苛要求。
　　最后，在工业自动化设备中，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和工业机器人等设备的电源和控制电路中，确保设备在高负载条件下稳定运行。