2SK3018WT 时间：2025/5/16 14:45:01 阅读：20

2SK3018WT 是一种 N 沟道功率 MOSFET，属于 Toshiba（东芝）的 MOSFET 系列。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率转换应用。
　　该芯片采用 TO-252 (DPAK) 封装形式，适合表面贴装技术 (SMT)，从而提高了散热性能和电路板空间利用率。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：29A
　　导通电阻：3.5mΩ
　　总功耗：100W
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃

特性

2SK3018WT 的主要特点是其低导通电阻和出色的开关性能。这使得它非常适合用于要求高效能和低损耗的应用场合。
　　具体特性包括：
　　- 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
　　- 高速开关能力，可实现高频操作，满足现代功率电子设备的需求。
　　- 具备较强的电流处理能力，支持高达 29A 的连续漏极电流。
　　- 支持宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，确保在极端环境下的可靠性。
　　- 表面贴装封装设计，便于自动化生产和优化 PCB 布局。

应用

2SK3018WT 主要应用于需要高性能功率切换的场景中，例如：
　　- 开关模式电源 (SMPS) 中的功率级元件。
　　- 各类 DC-DC 转换器中的同步整流或主开关 MOSFET。
　　- 电池管理系统 (BMS) 和负载切换。
　　- 工业设备中的电机驱动控制。
　　- 太阳能逆变器和电动汽车 (EV) 动力系统中的功率管理模块。