时间：2025/5/8 16:45:04
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GPM13B53-025 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高频功率晶体管，广泛应用于射频放大器、无线通信设备以及雷达系统中。该器件采用先进的封装工艺以提升散热性能和可靠性，同时具备高增益、高效率和宽带宽等特性，使其非常适合于需要高性能射频输出的应用场景。
其设计结合了 GaN 材料的卓越电子迁移率与高击穿电压优势，从而在高频条件下提供稳定的功率输出。此外，GPM13B53-025 的制造工艺优化了寄生参数的影响，确保了在复杂射频环境中的优异表现。
型号：GPM13B53-025
类型：GaN 功率晶体管
频率范围：DC 至 2.5 GHz
增益：18 dB
饱和输出功率：40 W
电源电压：28 V
最大漏极电流：5 A
封装形式：陶瓷气密封装
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
1. 高频率范围支持，可覆盖从直流到 2.5 GHz 的应用需求。
2. 输出功率高达 40 W，在高频段内仍能保持稳定性能。
3. 高增益特点使该器件能够显著增强输入信号强度，减少对额外级联放大器的需求。
4. 具备出色的线性度和低失真性能，适合于通信系统的严格要求。
5. 使用氮化镓材料制成，具有较高的击穿电压，提高了整体电路的安全性和可靠性。
6. 封装设计考虑了热管理问题，有助于延长使用寿命并降低功耗。
7. 工作温度范围广，适应各种恶劣环境下的运行条件。
1. 基站射频放大器
2. 卫星通信设备
3. 军用雷达系统
4. 医疗成像设备
5. 测试与测量仪器
6. 工业微波加热装置
7. 车载短距离通信模块
