型号：GPM130C
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.2A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：13mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：17mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：500pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@VDS=15V）
　　栅极电荷（Qg）：12nC（@VGS=10V）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C

GPM130C采用了先进的沟槽型场效应晶体管结构，这种结构能够显著降低器件的导通电阻，从而减少在大电流应用下的功率损耗。其典型RDS(on)仅为13mΩ（在VGS=10V条件下），即使在较低的驱动电压如4.5V下也能保持17mΩ的低阻值，这使得它非常适合用于电池供电设备或需要节能设计的应用场合。由于其低RDS(on)，在导通状态下产生的热量较少，有助于提升系统的整体能效并延长设备使用寿命。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于较小的输入电容和栅极电荷，使其在高频开关电路中表现出色。例如，在同步整流DC-DC变换器中，GPM130C可以有效减少开关过程中的能量损耗，提高转换效率。此外，其体二极管具备较短的反向恢复时间（约25ns），减少了换流过程中可能出现的电压尖峰和电磁干扰问题，提升了系统运行的稳定性和可靠性。
　　热稳定性方面，GPM130C经过优化设计，在高负载条件下仍能维持稳定的电气性能。其最大工作结温可达150°C，能够在高温环境下长时间运行而不发生性能退化。结合SOT-23小尺寸封装，虽然散热面积有限，但通过合理的PCB布局（如增加铜箔面积或接地层）可有效改善热传导，满足大多数中等功率应用的需求。
　　在抗静电能力方面，GPM130C内置了一定程度的ESD保护机制，栅源之间可承受±20V的电压冲击，增强了器件在实际装配和使用过程中的安全性。同时，该器件对dv/dt和di/dt的变化率具有较强的耐受性，降低了因瞬态过压或过流导致损坏的风险。总体而言，GPM130C是一款集低导通损耗、高开关速度、良好热性能与高可靠性于一体的MOSFET产品，适用于多种现代电力电子应用场景。

GPM130C被广泛应用于各类中小功率电源管理系统中，尤其是在需要高效率和小体积设计的场合表现突出。常见应用包括便携式电子设备中的电池管理电路，如智能手机、平板电脑和移动电源等，用于实现充放电控制与负载开关功能。在此类应用中，其低导通电阻可有效减少能量损耗，延长电池续航时间。
　　在DC-DC转换器领域，特别是同步整流降压（Buck）转换器中，GPM130C常作为低边开关使用，配合控制器实现高效的电压调节。其快速的开关特性和低栅极电荷使其适合工作在数百kHz甚至更高的频率下，有利于减小外围电感和电容的尺寸，进而缩小整个电源模块的体积。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，作为开关元件控制电流方向和通断。由于其能够承受一定的瞬态电流冲击，并具备良好的热稳定性，因此在启停频繁的小型家电、玩具或自动化装置中具有较高的适用性。
　　其他应用场景还包括LED驱动电路、热插拔电源控制、逆变器中的开关节点以及各类过流保护电路。由于其SOT-23封装小巧，易于自动化贴片生产，因此在大规模消费类电子产品制造中备受青睐。同时，其符合RoHS标准的环保特性也满足了出口产品对有害物质限制的要求，进一步拓宽了市场应用范围。

AON1303
　　SI2303
　　FDMC1303