类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.65Ω
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、TO-252、TO-263等多种封装形式

GP8NC60KD具备多项优异性能，首先是其高耐压特性，漏源击穿电压达到600V，使其适用于中高压功率转换系统。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为0.65Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，GP8NC60KD具有良好的热稳定性和高可靠性，能够适应高温环境下的工作条件。
　　该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，提高了器件的开关性能和稳定性。其快速开关特性使其适用于高频开关电路，有助于减小外围电路的体积和重量。同时，GP8NC60KD的封装形式多样，包括TO-220、TO-252和TO-263等，便于根据具体应用需求选择合适的封装方式，满足不同的散热和安装要求。
　　在保护特性方面，GP8NC60KD具备较高的抗静电能力和过温保护能力，能够有效防止因静电放电或温度过高导致的器件损坏，提高了整体系统的稳定性和使用寿命。

GP8NC60KD广泛应用于各类功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、LED驱动电源、DC-DC转换器、电机控制器、充电器和适配器等。在LED照明系统中，该MOSFET可用于恒流驱动电路，提供稳定可靠的电流输出。此外，GP8NC60KD也可用于工业自动化控制设备、家电电源管理模块以及新能源系统的功率转换环节。

GP8NC60K、FQP8N60C、STP8NM60ND、IRF8N60C3