时间：2025/7/23 14:56:00
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GP7NC60HD 是一款由Global Power Technologies公司生产的功率MOSFET晶体管，主要应用于高功率开关电路中。该器件采用先进的高压沟槽栅技术，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性，适用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器以及各种工业自动化设备。其封装形式为TO-252（DPAK），便于安装和散热，能够在高温环境下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：7A
最大漏源电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω（最大）
栅极电压范围：±20V
漏极电流（连续）：7A
漏极电流（脉冲）：28A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
GP7NC60HD 的主要特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达600V，使其适用于高电压开关应用。此外，其导通电阻低至1.8Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作，适用于工业级应用。GP7NC60HD 还具备快速开关能力，减少开关损耗，提高整体系统性能。
该MOSFET采用先进的封装技术，提供良好的散热性能，确保在高电流负载下仍能维持较低的温升。同时，其栅极电压范围为±20V，允许使用标准的驱动电路进行控制，简化了设计流程。此外，GP7NC60HD 的封装结构具有良好的机械强度和耐腐蚀性，适合在恶劣环境中使用。
GP7NC60HD 常用于各种高功率电子设备中，例如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、光伏逆变器、工业自动化控制系统以及智能家电等。由于其高可靠性和优异的电气性能，GP7NC60HD 在电源管理领域具有广泛的应用前景。
GP7NC60S、FQP7N60C、IRF7N60HD、STP7NK60Z、2SK2545
