时间：2025/8/15 21:23:02
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GP712KXBGZGTR13 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率电源管理和功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：最大 2.7mΩ（在 Vgs=10V）
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK SO-8 双面散热
GP712KXBGZGTR13 具有极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其先进的沟槽技术确保了优异的热性能，使得该器件能够在高负载条件下稳定工作。此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的保护。PowerPAK SO-8 封装形式不仅节省空间，还支持双面散热，提高了热管理性能。
器件的栅极驱动电压范围较宽，允许使用常见的10V或12V驱动电路，同时也兼容3.3V和5V逻辑电平，适用于多种控制方案。GP712KXBGZGTR13 的设计使其在高频开关应用中表现出色，具有快速的开关速度和较低的开关损耗，适合用于高频率的DC-DC转换器和同步整流器。
该器件广泛用于各类电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、马达控制器以及电池管理系统。由于其高效率和高电流处理能力，GP712KXBGZGTR13 也适用于服务器电源、通信设备电源、工业自动化系统以及电动汽车充电模块等高要求的应用场景。
Si7125DP-T1-GE3, SQD120EN10P1-1500V, IPB045N10N3 G
