GP70N33 时间：2025/8/6 7:39:56 阅读：19

GP70N33是一款由Genesic Semiconductor制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率、高频开关应用。该器件采用了先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。GP70N33广泛应用于电源转换器、DC-DC变换器、UPS系统、电机控制以及各种工业和消费类电子设备中的功率开关部分。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：330V
　　连续漏极电流（ID）：70A
　　栅极驱动电压（VGS）：10V～20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.036Ω（最大值0.045Ω）
　　耗散功率（PD）：400W
　　工作温度范围：-55℃～175℃
　　封装形式：TO-247

特性

GP70N33具有多项出色的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻确保了在高电流工作条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，提升了器件的开关速度和稳定性，使其适用于高频开关环境。
　　此外，GP70N33具有较高的耐压能力，额定漏源电压达到330V，能够在高压环境下稳定工作。器件的热阻较低，结合高功率封装（TO-247），可有效提升散热能力，确保在高负载条件下的可靠运行。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，增强了在严苛工况下的耐用性。其栅极驱动电压范围宽（10V～20V），可与多种驱动电路兼容，提高了设计灵活性。整体而言，GP70N33是一款适用于多种高功率应用场景的高性能功率MOSFET。

应用

GP70N33常用于各种电源管理系统，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路、逆变器、UPS不间断电源以及工业电机控制设备。其高电流处理能力和低导通损耗也使其成为电动工具、电动车充电器及太阳能逆变器等高功率设备的理想选择。
　　此外，该MOSFET还可用于高频率开关应用，如谐振变换器、ZVS（零电压开关）和ZCS（零电流开关）拓扑结构中，以实现更高的效率和更小的体积。其出色的热性能和稳定性也使其在高环境温度下仍能可靠运行，适用于工业自动化控制、医疗设备电源及高可靠性系统。