BS2S7VZ0502 时间：2025/8/27 17:23:02 阅读：14

BS2S7VZ0502 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，常用于高效率的电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：±12 V
　　漏极电流（Id）：6 A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.033 Ω @ Vgs = 10 V
　　功率耗散（Pd）：2 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP（表面贴装封装）

特性

BS2S7VZ0502 的主要特点之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件在高电流条件下仍能保持稳定性能，具备良好的热稳定性和耐用性。此外，其 SOP 封装形式适用于自动化装配流程，提高了生产效率和 PCB 布局的灵活性。该 MOSFET 还具备较快的开关速度，使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。由于其栅极电荷（Qg）较低，因此驱动损耗也相对较小，进一步提升了整体效率。BS2S7VZ0502 还具有良好的抗静电性能和过热保护能力，确保在恶劣工作环境下的稳定运行。
　　该器件的封装设计也优化了散热性能，能够在有限的空间内实现较高的功率密度。同时，ROHM 提供了完整的数据手册和技术支持，方便工程师在设计过程中进行参数匹配和热分析。