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GP6UXC12RKS 发布时间 时间:2025/8/27 22:27:29 查看 阅读:9

GP6UXC12RKS 是一款由东芝(Toshiba)推出的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,属于功率半导体器件的一种。该器件主要用于高效率电源转换系统,如DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路以及负载开关等应用。GP6UXC12RKS 采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和高电流承载能力等特点,适用于需要高效能和小型化设计的电子系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):120A
  最大漏-源极电压(VDS):60V
  最大栅-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大1.2mΩ @ VGS=10V
  功率耗散(PD):200W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOP(表面贴装封装)

特性

GP6UXC12RKS MOSFET具备多项优良特性,使其在高功率密度和高可靠性要求的应用中表现出色。
  首先,该器件具有极低的导通电阻(Rds(on)),最大值仅为1.2mΩ。低Rds(on)有助于降低导通损耗,提高系统效率,并减少发热,从而提高整体系统的稳定性与可靠性。
  其次,GP6UXC12RKS 支持高达120A的连续漏极电流,适用于高电流应用场景,如电动工具、工业自动化设备、服务器电源系统等。其高电流能力也意味着可以在较小的PCB空间内实现高功率输出,有利于系统的小型化设计。
  此外,该MOSFET的漏-源极耐压为60V,能够满足多种电源转换需求,包括同步整流、负载开关和电机控制等。栅-源极耐压为±20V,使得其能够兼容多种驱动电路,提升设计的灵活性。
  在热管理方面,该器件采用了高效的散热封装设计,能够有效将热量传导至PCB或散热片上,避免因温度过高而影响性能或导致器件损坏。同时,其最大功率耗散可达200W,支持长时间高负载运行。
  最后,GP6UXC12RKS 采用SOP表面贴装封装,适用于自动化贴片工艺,简化生产流程,提高制造效率和产品一致性。

应用

GP6UXC12RKS MOSFET广泛应用于多个领域,尤其是在需要高效率、高可靠性和高电流能力的电子系统中。
  在电源管理方面,该器件常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电池充电管理模块以及负载开关电路。由于其低导通电阻和高电流能力,非常适合用于服务器电源、通信设备电源模块和工业控制系统的电源设计。
  在电机控制领域,GP6UXC12RKS 可用于直流电机驱动器、无刷电机控制器以及电动工具等应用。其高耐压和大电流能力确保了电机在高速运行时仍能保持稳定性能。
  此外,该MOSFET也适用于电池管理系统(BMS),用于实现电池的充放电控制和保护功能。其低导通损耗和良好的热管理能力有助于延长电池寿命并提高系统安全性。
  在家用电器方面,该器件可用于智能家电、电动清扫机器人、电风扇、空调压缩机等产品中的电机驱动或功率控制模块。
  在汽车电子领域,GP6UXC12RKS 可用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)、车窗升降器、座椅调节电机等应用,满足汽车系统对高可靠性和高耐久性的需求。

替代型号

SiR142DP-T1-GE3, IPP120N10S4-03, FDS6680, IRF1404, FDMS86101

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