类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（在TC=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.2mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装：DFN5x6

GP500C04-QFNR具有低导通电阻的特点，这使得在导通状态下功率损耗极低，有助于提高系统效率并减少散热设计的复杂性。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，优化了电场分布，从而提升了器件的开关性能和耐用性。
　　其高电流承载能力使得GP500C04-QFNR能够胜任大功率应用，例如服务器电源、电信设备电源模块、电池管理系统和高功率负载开关等。同时，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行，适用于需要高可靠性的应用场景。
　　DFN5x6封装不仅体积小，便于在紧凑型设计中使用，而且具备优良的散热能力，有助于提升整体系统的功率密度。此外，该封装形式支持双面散热，进一步增强了器件的热管理能力。
　　GP500C04-QFNR具备高耐压能力，漏源电压为40V，能够承受较高的瞬态电压，适用于中高功率转换应用。其栅极驱动电压范围宽泛，支持标准的10V驱动电压，也兼容逻辑电平驱动，提高了设计的灵活性。
　　总体而言，GP500C04-QFNR是一款高性能功率MOSFET，适用于需要高效、高可靠性和高功率密度的电源管理系统。

GP500C04-QFNR主要应用于各类电源管理系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于服务器电源、电信设备电源模块和高功率便携设备中。
　　在工业自动化领域，GP500C04-QFNR可用于驱动继电器、电磁阀和直流电机等高功率负载。在消费类电子产品中，该器件可用于电源适配器、充电器和UPS（不间断电源）系统。
　　此外，GP500C04-QFNR还可用于新能源应用，例如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电模块。其优异的热性能和高可靠性使其成为要求严苛的工业和汽车应用中的理想选择。
　　由于其封装形式支持表面贴装技术（SMT），GP500C04-QFNR易于集成到现代自动化生产流程中，降低了生产成本并提高了制造效率。

SiS828DN, Nexperia PSMN1R5-40YLC, Infineon BSC016N04LS