类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：17.6A
　　导通电阻Rds(on)：14mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻Rds(on)：17mΩ @ Vgs=2.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容（Ciss）：590pF @ Vds=10V
　　开启时间（Ton）：7ns
　　关闭时间（Toff）：18ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

CPH5815-TL-E具有优异的导通性能和快速开关响应能力，这主要得益于其低导通电阻Rds(on)的设计。在Vgs=4.5V条件下，Rds(on)仅为14mΩ，而在更低的驱动电压2.5V下仍能保持17mΩ的低阻值，这意味着它可以在低电压逻辑控制下高效工作，非常适合用于3.3V或更低电压系统的开关控制。这种低Rds(on)特性显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。
　　该器件的阈值电压范围为0.6V至1.2V，属于超低阈值类型，使得它能够与低压逻辑信号（如1.8V或2.5V CMOS输出）直接兼容，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了成本。同时，较低的栅极驱动需求也意味着控制器可以更轻松地驱动多个此类MOSFET，适用于多路电源管理或并联使用场景。
　　CPH5815-TL-E的输入电容为590pF，在同类SOT-23封装器件中处于合理水平，配合其7ns开启时间和18ns关断时间，展现出出色的高频开关能力。这一特性使其适用于高频DC-DC变换器、同步整流电路以及高速负载开关等对动态响应要求较高的应用。此外，器件的最大连续漏极电流可达4.4A，脉冲电流高达17.6A，表明其具备较强的瞬态负载承受能力，可在短时间内应对较大的电流冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　热稳定性方面，CPH5815-TL-E的工作结温范围达到-55°C至+150°C，支持极端环境下的可靠运行。SOT-23封装虽然体积小巧，但通过优化内部结构和材料选择，实现了良好的散热性能。该器件还具备良好的抗静电能力（ESD保护），提升了在实际生产装配过程中的耐用性。综合来看，CPH5815-TL-E是一款高性能、小尺寸、低功耗的N沟道MOSFET，适用于多种现代电子系统中的功率开关和控制任务。

CPH5815-TL-E广泛应用于各类低电压、高效率的电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块，作为负载开关用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或动态电源分配。在DC-DC转换器电路中，该器件可用于同步整流或开关级，提升转换效率并减小整体方案尺寸。此外，它也常用于电机驱动、LED驱动电路以及传感器供电控制等需要快速响应和低导通损耗的场合。
　　在工业控制领域，CPH5815-TL-E可用于小型继电器驱动、I/O端口扩展电路中的开关元件，或作为隔离式电源的控制开关。由于其良好的温度适应性和可靠性，也可用于汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统、照明控制或传感器接口。在通信设备中，该器件适合用于信号路由、电源切换或多路复用器的控制部分。
　　此外，由于其SOT-23封装的小型化优势，CPH5815-TL-E特别适合高密度PCB布局，尤其是在空间受限的嵌入式系统和模块化设计中表现出色。其低阈值电压和低驱动需求也使其成为微控制器GPIO直接驱动的理想选择，避免了外加驱动电路的复杂性。总的来说，凡是需要高效、小型、低压控制开关的地方，CPH5815-TL-E都是一个极具竞争力的解决方案。

DMG2305UW-7
　　FDC6330L
　　SI2301DS-S17-AY
　　AO3400