GP4W1004YP0F 时间：2025/8/28 1:02:28 阅读：18

GP4W1004YP0F 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于需要高效功率转换和开关控制的多种应用，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统。其封装形式为小型表面贴装封装（SOP），有助于节省PCB空间，并支持自动化装配。

参数

类型：功率MOSFET
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：40V
　　漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：350mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V~2.5V
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装类型：SOP

特性

GP4W1004YP0F MOSFET具有低导通电阻，有助于降低功率损耗，提高能效。该器件的栅极驱动电压范围宽，适合使用1.8V~10V逻辑电平控制，提高了设计灵活性。其SOP封装具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于高密度PCB布局。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频应用，减少开关损耗。该器件的可靠性高，符合RoHS环保标准，适用于工业和消费类电子产品。
　　该MOSFET采用先进的沟槽栅技术，确保了低RDS(on)和高稳定性的平衡。其内部结构优化，降低了寄生电容，提升了高频响应能力。此外，该器件的热阻较低，能够在较高环境温度下稳定运行。在短路或过载条件下，该MOSFET具有较强的耐受能力，提高了系统稳定性。

应用

GP4W1004YP0F 广泛用于各类电子设备中的功率控制和转换应用。例如，它可用于DC-DC降压或升压转换器中的开关元件，提高转换效率。在电池管理系统中，它可用于充放电控制和负载切换。此外，该MOSFET也适用于电机驱动、LED驱动、电源管理IC外围电路、智能电表和便携式电子设备中的负载开关控制。其高可靠性和小型封装也使其成为汽车电子系统中非关键功率控制的理想选择。