时间：2025/12/28 21:05:19
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GP3S120 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用，例如电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动电路以及各种需要高效能开关的场合。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适合用于节能型电源设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：30A（在Tc=25℃时）
最大漏源电压（Vds）：120V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值为6.2mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-220
功率耗散（Pd）：150W
GP3S120 的核心优势在于其优异的导通和开关性能。它采用了先进的沟槽式MOSFET结构，极大地降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件的封装设计有助于快速散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
其高耐压特性（120V）使其适用于各种中高压电源应用，包括电动车控制器、工业电源和高功率LED驱动器。GP3S120 还具备良好的抗雪崩能力和过热稳定性，使其在严苛工作环境下具有更高的可靠性。
由于其低栅极电荷（Qg）和快速开关时间，GP3S120 在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提升系统效率。此外，±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的设计灵活性，并减少了因栅极电压波动而引起的失效风险。
GP3S120 主要应用于各类高效率电源系统中，包括但不限于：
? DC-DC转换器与电源模块
? 电机驱动与电动车控制器
? 高压LED照明驱动电路
? 工业自动化与电机控制设备
? 开关电源（SMPS）与逆变器系统
? 电池管理系统（BMS）
其高耐压、低导通电阻和高电流能力使其成为中高功率开关应用的理想选择。
TK31A08,TCP8010,TCP8012
