类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.3A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（最大值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装类型：SOT-23

GP2211 MOSFET具备多项高性能特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），这使得器件在导通状态下的功率损耗极低，有助于提高系统的整体效率。该特性在高电流应用中尤为重要，例如在DC-DC转换器和负载开关中。其次是其采用SOT-23封装，具有小型化和轻量化的特点，适用于空间受限的便携式设备设计。
　　此外，GP2211具有较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其栅极驱动电压范围较宽，支持从2.5V到12V的栅极驱动电压，便于与多种控制器或驱动器配合使用，尤其是在低电压控制电路中表现良好。该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，提升了在复杂工作环境下的可靠性。
　　GP2211的快速开关特性也使其适用于高频开关电路，从而减小外部滤波元件的尺寸，提升系统的响应速度和效率。同时，其封装设计具有良好的焊接性和机械稳定性，适合自动化生产流程。

GP2211 MOSFET广泛应用于多种功率电子系统中，例如在便携式电子设备中的电池管理系统中作为负载开关使用，以实现高效的电源管理。在DC-DC转换器中，GP2211可作为主开关器件，帮助实现高效率的能量转换，适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的电源模块。
　　此外，该器件也可用于电机驱动、LED背光驱动、传感器电源控制等应用场景。在通信设备中，GP2211可用于电源管理模块和信号切换电路，以提高系统的稳定性和能效。由于其具备良好的热稳定性和高频响应特性，该器件还适合用于需要快速开关的PWM控制电路和同步整流电路。
　　在工业自动化设备中，GP2211可用于继电器替代、电源分配系统以及小型电机控制电路，帮助实现紧凑型设计并提升系统能效。

Si2302, AO3400, FDN340P, IRML2802