时间：2025/8/28 0:23:13
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GP1FSV51TKVF 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高频应用。该器件采用小型表面贴装封装（通常为 SOT-23 或类似），广泛用于电源管理、开关电路和负载控制等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：100 mA
漏源电压 (VDS)：50 V
栅源电压 (VGS)：±20 V
导通电阻 (RDS(on))：5.1 Ω（典型值）
功率耗散 (PD)：200 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
GP1FSV51TKVF MOSFET 具备低导通电阻，有助于降低开关损耗，提高系统效率。其小尺寸封装适合用于空间受限的设计中。该器件具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。此外，其高耐压特性使其在高压控制应用中表现良好。由于其栅极驱动电压范围宽，可兼容多种控制电路，易于集成到现有系统中。
该器件的封装设计使其易于进行自动化贴装和回流焊工艺，提高了生产效率。同时，其优异的开关性能使其在高频应用中表现出色，适用于 DC-DC 转换器、LED 驱动器和继电器替代电路等场景。
GP1FSV51TKVF 常用于以下领域：
1. 电源管理系统
2. 小型 DC-DC 转换器
3. LED 驱动电路
4. 电池供电设备
5. 负载开关控制
6. 工业自动化设备
7. 消费类电子产品
2N3904, 2N2222, FDN302P, GP1FSV51T
