GNV1792S 时间：2025/6/11 17:47:37 阅读：8

GNV1792S是一种N沟道增强型功率MOSFET（场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够满足多种高效能应用的需求。
　　GNV1792S的低导通电阻特性可以显著降低功耗，从而提高整体系统效率。同时，其出色的电气特性和可靠性使得它成为许多功率管理设计中的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：3.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.12Ω（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗：1.4W
　　工作结温范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-252

特性

GNV1792S具有以下主要特性：
　　1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升效率。
　　2. 高速开关能力，适合高频开关应用。
　　3. 较小的封装尺寸，便于PCB布局和节省空间。
　　4. 出色的热稳定性和耐用性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保且安全。
　　这些特性使GNV1792S特别适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。

应用

GNV1792S的主要应用领域包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器的核心元件。
　　3. 各种电机驱动电路中的开关器件。
　　4. 负载开关和保护电路。
　　5. 充电器和适配器中的功率管理模块。
　　由于其优异的电气特性和可靠性，GNV1792S在消费电子、工业控制和汽车电子等领域都有广泛的应用。