时间：2025/12/28 11:39:20
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GNT30-5G是一款由GeneSiC Semiconductor推出的增强型硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效率的电力电子应用而设计。该器件采用先进的氮化镓技术，具备低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能，适用于要求严苛的电源转换系统。GNT30-5G的额定电压为650V，连续漏极电流可达30A，能够支持高达数MHz的开关频率，从而显著减小磁性元件和电容的体积，提升整体功率密度。该器件通常用于工业电源、数据中心服务器电源、太阳能逆变器、无线充电以及电动汽车车载充电机（OBC）等场景。其封装形式为TO-247-3L或类似大功率封装，便于散热管理并兼容现有硅基MOSFET的驱动电路设计。得益于其增强型（常关型）特性，GNT30-5G在栅极驱动方面与传统MOSFET兼容，降低了系统设计复杂度。同时，该器件具有较低的栅极电荷和输出电容，有助于减少开关损耗，提高能效。此外，GNT30-5G具备良好的抗dv/dt能力和一定的短路耐受能力，增强了系统在瞬态工况下的可靠性。
型号：GNT30-5G
制造商：GeneSiC Semiconductor
器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
材料：GaN-on-Si（硅基氮化镓）
漏源击穿电压（BVDSS）：650V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：30A
脉冲漏极电流（IDM）：120A
导通电阻（RDS(on) @ VGS=20V）：65mΩ
栅极阈值电压（Vth）：3.0V ~ 4.0V
最大栅源电压（VGSM）：+25V / -10V
输入电容（Ciss）：4800pF @ VDS=100V, f=1MHz
输出电容（Coss）：1100pF @ VDS=100V, f=1MHz
反向恢复电荷（Qrr）：0C（无体二极管反向恢复）
开关速度：纳秒级（典型开通时间<15ns，关断时间<20ns）
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247-3L
GNT30-5G的核心优势在于其基于硅基氮化镓的增强型设计，使其在保持高耐压的同时实现极低的导通电阻和开关损耗。该器件的65mΩ导通电阻在650V等级的功率器件中处于领先水平，有效降低了传导损耗，尤其在高电流应用中表现突出。由于氮化镓材料的宽禁带特性，GNT30-5G具备更高的临界电场强度，允许更薄的漂移层结构，从而提升电子迁移率和开关速度。其开关速度可达纳秒级别，使得电源系统能够在数百kHz至MHz频率下高效运行，大幅缩小无源元件尺寸，提升功率密度。此外，GNT30-5G为增强型结构，即在零栅压下处于关断状态，符合安全设计规范，无需负压关断，简化了栅极驱动电路的设计难度，并可直接兼容标准硅基MOSFET驱动IC。
GNT30-5G还具备优异的动态性能，其输入和输出电容较小，且没有传统硅MOSFET的体二极管反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），因此在硬开关和图腾柱PFC等拓扑中可显著降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性对于提升系统整体效率（如达到98%以上）至关重要。器件的热阻较低，配合TO-247封装的良好散热能力，可在高温环境下稳定工作。同时，GNT30-5G经过严格可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）和功率循环测试，确保长期运行的稳定性。其抗浪涌能力和抗雪崩能力也优于同类硅器件，适用于工业级和汽车级应用场景。
GNT30-5G广泛应用于需要高效率、高频率和高功率密度的电力转换系统。典型应用包括通信电源和服务器电源中的图腾柱无桥PFC（功率因数校正）电路，利用其零反向恢复特性实现超高效率转换。在太阳能微型逆变器和组串式逆变器中，GNT30-5G可用于DC-AC逆变级，提升系统效率并减小体积。在电动汽车领域，该器件适用于车载充电机（OBC）和直流快充模块，支持双向能量流动和高功率密度设计。此外，GNT30-5G还可用于无线电力传输系统，其高频开关能力有助于提升耦合效率和系统响应速度。工业电机驱动、UPS不间断电源以及高端消费类电源适配器也是其重要应用方向。由于其易于并联使用的特性，GNT30-5G也适合构建多管并联的大功率电源模块，满足千瓦级甚至更高功率的应用需求。
GSP65030B
GS-065-030-1-L
EPC2045
LATG30N65S
