类型：光耦合器
　　电流传输比（CTR）：50%-600%（根据输入电流和温度）
　　正向电压（VF）：1.2V（典型值）
　　集电极-发射极电压（VCE）：30V（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：6引脚 DIP（双列直插式封装）
　　绝缘电压：5000Vrms（最小）
　　响应时间：约 3μs（上升时间），约 3μs（下降时间）

GN25L52-WP 光耦合器具有优异的电气隔离能力，能够在高电压和噪声环境中提供可靠的信号隔离。其主要特性之一是宽工作温度范围，使其适用于各种严苛环境下的工业控制应用。该器件的电流传输比（CTR）较高，可以在较低的输入电流下驱动输出侧的晶体管，从而减少功耗并提高能效。此外，GN25L52-WP 采用标准的 6 引脚 DIP 封装，便于 PCB 设计和安装，具有良好的兼容性和可替换性。
　　GN25L52-WP 还具有较长的使用寿命和高抗干扰能力，能够有效防止电磁干扰（EMI）对信号传输的影响。其高绝缘电压（5000Vrms）确保了在高压应用中的安全性和稳定性。该光耦合器的响应时间较短，适合用于需要快速信号切换的应用场景，如开关电源、电机控制和数据通信设备。

GN25L52-WP 主要应用于需要电气隔离和信号传输的电路中，例如工业自动化控制系统、电源转换器、马达驱动器、PLC（可编程逻辑控制器）、家用电器控制电路、通信设备以及测试仪器等。由于其优异的隔离性能和宽温度范围，它也常用于需要高可靠性和稳定性的工业环境。此外，该器件在医疗设备中也有应用，以确保设备的安全性和精度。

TLP521-1, PC817, EL357, LTV-817