时间：2025/8/5 6:01:43
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GN2044-INE3 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的高效能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高频率、高效率的开关应用而设计，广泛用于电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等电路中。GN2044-INE3 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和良好的热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：180A（在 Tc=25°C）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
导通电阻（Rds(on)）：最大 3.7mΩ（在 Vgs=10V）
GN2044-INE3 的核心特性包括极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使其适用于高功率密度的设计。此外，该器件具有良好的热管理性能，能够在高负载条件下保持稳定工作。TO-263 封装形式支持表面贴装，便于自动化生产并提高可靠性。GN2044-INE3 的栅极驱动电压范围较宽（通常在 4.5V 至 20V 之间），可与多种驱动器兼容。该器件还具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频操作环境。
另外，GN2044-INE3 的设计确保了在极端温度下的稳定性能，适合汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的应用。其高耐用性和可靠性使其成为替代传统双极型晶体管的理想选择，尤其是在需要高效率和小型化设计的场合。
GN2044-INE3 主要用于各类电源管理系统，包括 DC-DC 升压和降压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。此外，该器件也常用于汽车电子系统（如车载充电器、启动器控制和电动助力转向系统）、工业自动化设备、服务器电源和消费类电子产品（如笔记本电脑和平板电脑的电源管理模块）。由于其高可靠性和良好的热性能，GN2044-INE3 也非常适合在恶劣环境条件下运行的设备中使用。
SiSS180N10NM5、IRF180N10D2、SQJ482E、NVMS180N10MC
