GN2017AINTE3Z是一款由Semtech公司设计的高性能射频功率放大器(PA),广泛用于无线通信系统中。该器件专为支持LoRa(Long Range)通信技术而优化,适用于物联网(IoT)、智能城市、远程监控等低功耗广域网(LPWAN)应用场景。该芯片基于高电子迁移率晶体管(HEMT)技术制造,提供了高线性度和高效率的性能特点。
类型:射频功率放大器
频率范围:860 MHz至930 MHz
输出功率:20 dBm(典型值)
增益:约20 dB
供电电压:2.5V至5.5V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:TDFN-8
阻抗:50Ω
GN2017AINTE3Z采用先进的HEMT工艺,能够在高频率下提供出色的线性度和效率,同时保持较低的功耗。其宽电压供电范围(2.5V至5.5V)使其适用于多种电源环境,包括电池供电设备。该器件具有良好的热稳定性和抗干扰能力,能够在恶劣的工业环境中可靠运行。此外,GN2017AINTE3Z的封装设计紧凑,适合高密度PCB布局,且易于集成到现有的无线通信模块中。该芯片还具备低噪声系数,有助于提高接收机的灵敏度,从而提升整体通信质量。
GN2017AINTE3Z主要应用于支持LoRa协议的无线通信设备,如远程传感器节点、智能电表、资产追踪设备以及工业自动化系统。此外,该器件也适用于其他需要高线性度、低功耗和远距离通信能力的无线应用,包括智能农业、环境监测和智慧城市基础设施。由于其优异的射频性能,GN2017AINTE3Z也可用于定制化的低功耗广域网(LPWAN)通信解决方案。
GN2017AINTE3, RF69HCW