时间：2025/8/5 7:17:08
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GN1407-INE3 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种电源管理应用。该器件采用 TO-220 封装，适用于需要高效率、高功率密度的电子设备。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：11A
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
导通电阻（RDS(on)）：最大 400mΩ
功率耗散（PD）：83W
GN1407-INE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和高电流承载能力，能够在高电压环境下稳定工作。其 600V 的漏源电压使其适用于高电压电源转换应用，例如开关电源（SMPS）、电机驱动和照明系统。此外，该器件具有较高的热稳定性和耐用性，能够承受较高的工作温度，确保在严苛环境下的可靠性。
这款 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±30V，使得其在不同的驱动条件下都能保持稳定的工作状态。其 TO-220 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用，适用于多种工业和消费类电子产品。GN1407-INE3 的设计优化了开关损耗和导通损耗，从而提高了整体的能效，特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。
GN1407-INE3 主要用于电源管理领域，常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制、LED 照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关。此外，该器件也适用于消费类电子产品中的电源调节模块。
IRF740、FQP13N60C、STP12NM60ND、TK11A60D、2SK2142
