封装类型：TSSOP
　　引脚数：14
　　工作电压范围：4.5V 至 18V
　　输出驱动电流：高端驱动器：180mA / 低端驱动器：220mA
　　传输延迟：典型值 15ns
　　驱动器配置：半桥（High-Side + Low-Side）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装尺寸：5.0mm x 6.4mm
　　静态电流：典型值 300μA
　　欠压锁定（UVLO）保护：启用
　　过热保护：启用
　　输出端口数量：2
　　输出电压范围：与电源电压（VDD）一致
　　输出上升/下降时间：典型值各为 5ns

GMS34112-RA325是一款专为高性能电源转换系统设计的双通道MOSFET驱动器，具有出色的电气性能和系统保护能力。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，确保了高抗噪性和稳定性。其内部集成了高边和低边驱动电路，适用于同步整流拓扑和半桥结构的电源设计。该器件支持4.5V至18V的宽输入电压范围，使其能够兼容多种电源管理应用场景，包括DC-DC转换器、负载开关和电机驱动系统。
　　该驱动器具有极低的静态电流（典型值为300μA），有助于提高系统能效，特别适用于对功耗敏感的设计。其高端驱动器输出电流为180mA，低端驱动器输出电流为220mA，可有效驱动大功率MOSFET，确保快速开关，降低开关损耗。此外，GMS34112-RA325具备典型的15ns传输延迟和5ns的上升/下降时间，提供了出色的动态响应，使其适用于高频开关应用。
　　在系统保护方面，GMS34112-RA325集成了多种保护机制，包括欠压锁定（UVLO），以防止在低电压条件下MOSFET的非正常导通，以及过热保护（OTP），以防止因过热导致的器件损坏。这些功能有助于提高系统的稳定性和可靠性，延长产品使用寿命。该芯片采用TSSOP封装，尺寸紧凑，便于PCB布局，并可在-40°C至+125°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种工业和汽车电子应用环境。

GMS34112-RA325广泛应用于需要高效驱动MOSFET的电源管理系统中。它常用于DC-DC降压和升压转换器中，作为高低边MOSFET的驱动控制核心，以实现高效率的能量转换。同时，该芯片也非常适合用于同步整流器控制，例如在反激式电源或LLC谐振转换器中作为副边同步整流驱动器，从而提升整机效率并降低功耗。此外，GMS34112-RA325还可用于电机控制、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其宽工作电压范围和良好的热稳定性，该芯片也适用于车载电子系统、新能源设备（如太阳能逆变器）和通信电源等对可靠性要求较高的应用场景。

TC4427A-PA, IR2110S, LM5101B, MIC5021-YML