时间：2025/6/16 9:10:57
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GMD033R71C182MA11J 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等场景。该器件采用先进的制造工艺，在保证低导通电阻的同时，具备较低的栅极电荷和输出电容，从而实现高效的开关性能和热稳定性。此型号属于沟道型 MOSFET 系列，具有出色的耐用性和可靠性。
类型：N-Channel MOSFET
额定电压(Vdss)：700V
额定电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：180mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
输入电容(Ciss)：1360pF
输出电容(Coss)：55pF
反向传输电容(Crss)：23pF
最大工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
GMD033R71C182MA11J 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗。
2. 高击穿电压（700V）确保其在高电压环境下的可靠运行。
3. 优化的栅极电荷设计降低了开关损耗，提升了效率。
4. 超低的输出电容和反向传输电容，进一步改善了动态性能。
5. 宽广的工作温度范围，使其适用于各种恶劣环境。
6. 强大的电流承载能力（18A），满足高负载需求。
7. TO-247 封装提供良好的散热性能和机械稳定性。
这款器件非常适合需要高效开关和稳定性能的应用场景。
GMD033R71C182MA11J 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如笔记本电脑适配器和工业电源。
2. DC-DC转换器，包括汽车电子系统中的电压调节模块。
3. 电机驱动控制，用于家用电器、电动工具和工业自动化设备。
4. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。
5. 高频整流电路和PFC（功率因数校正）电路。
6. 各种工业和消费类电子产品中的功率管理模块。
其高耐压和低损耗特性使它成为许多高要求应用场景的理想选择。
GMD033R71C182MA11K, IRFP460, STW12NM60
