时间：2025/9/14 11:32:27
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BUK7K5R6-30E是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）推出的高性能功率MOSFET晶体管，属于TrenchMOS技术家族。该器件采用先进的沟槽式结构，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该MOSFET为N沟道增强型，采用TO-220AB封装形式，适用于广泛的工业、汽车和消费类电子产品。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：160A
导通电阻(RDS(on))：5.6mΩ（典型值）
最大功耗(PD)：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
BUK7K5R6-30E具有多项突出特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为5.6mΩ，这使得在高电流工作状态下，导通损耗大幅降低，提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET支持高达160A的连续漏极电流，使其能够胜任高功率应用的需求，如DC-DC转换器、电动工具和电池管理系统等。
此外，该器件采用先进的TrenchMOS技术，优化了导通性能与开关性能之间的平衡，从而在高频开关应用中表现出色。其最大工作电压为30V，适合于低压大电流场景，如服务器电源、电动车辆的电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的电源模块。
该MOSFET具有高热稳定性和强大的过载能力，在极端工作条件下仍能保持稳定运行。封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，适用于通孔安装，便于在各类PCB设计中集成。此外，其栅极驱动电压范围宽泛，通常在4.5V至20V之间，兼容多种常见的驱动电路设计，简化了外围电路的设计复杂度。
BUK7K5R6-30E广泛应用于需要高效、高功率密度的电子系统中。其主要应用场景包括但不限于：电源管理模块中的同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制单元。由于其高可靠性和优异的导热性能，它也常用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和48V轻混动力系统等。在消费类电子产品中，该MOSFET可用于高功率LED驱动、充电器和电源适配器等场景。
IRF1610PBF, BSC050N06NS5, BUK7K16-40E
