时间：2025/5/13 10:00:05
阅读：6
GMC04CG751F50NT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和直流-直流转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 NT 封装，适合高密度设计需求。
型号：GMC04CG751F50NT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：75V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
总功耗(Ptot)：130W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装：NT
GMC04CG751F50NT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流应用中减少功率损耗。
2. 高开关速度，适用于高频开关电源和转换器。
3. 优秀的热稳定性，确保在高温环境下仍能保持良好的性能。
4. 提供强大的电气保护功能，例如过流保护和短路保护。
5. 支持宽范围的工作温度，适应多种极端环境下的使用需求。
6. 封装紧凑，有助于实现更小型化的电路设计。
GMC04CG751F50NT 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关器件。
2. 直流-直流转换器中的同步整流管。
3. 工业电机驱动控制中的功率级元件。
4. 新能源汽车中的车载充电器及逆变器。
5. 高效节能的LED驱动电源。
6. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
GMC04CG751F50NP, IRF740, STP75NF06L
