时间：2025/8/13 18:20:00
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FMOS2SK3018WT-H 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的平面硅栅工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的开关性能，适用于高效率的电源转换系统。该MOSFET封装为TO-252（DPAK）形式，便于散热和安装，适用于多种工业和消费类电子应用。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：900V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）：13A（25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
FMOS2SK3018WT-H具备多项优良特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（VDS=900V）使其非常适合用于高电压系统，如AC/DC电源转换器、高压电机驱动和照明电源等。其次，该器件的导通电阻仅为0.55Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET的栅极驱动电压为10V，兼容标准MOSFET驱动器，便于设计和应用。
在封装方面，TO-252（DPAK）封装提供了良好的热管理和机械稳定性，有助于在高功率密度设计中实现可靠的散热。该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，进一步提升了系统的稳定性和可靠性。
此外，FMOS2SK3018WT-H采用环保材料制造，符合RoHS标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。
FMOS2SK3018WT-H适用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC/DC转换器、电池充电器、逆变器、LED照明驱动电源、电动工具电源管理以及工业自动化设备中的电机控制模块。由于其高耐压和低导通电阻的特性，它也常用于高能效家电产品如变频空调和洗衣机的功率转换部分。
2SK3018, FQA13N90C, FCP90N60F
