时间：2025/6/16 16:34:41
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GMC04CG681J50NT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该芯片具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并降低能耗。
这款器件采用了先进的半导体制造工艺，使其在高温环境下依然能保持稳定的性能。此外，其封装设计紧凑，便于在有限的空间内实现高效散热。
型号：GMC04CG681J50NT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：0.045Ω
功耗(Ptot)：300W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
GMC04CG681J50NT 的关键特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
2. 高速开关能力，可以有效减少开关损耗。
3. 较高的雪崩击穿能量，增强了器件的鲁棒性。
4. 提供了出色的热稳定性和电气稳定性，在各种应用中表现出色。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
GMC04CG681J50NT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. 电动汽车和混合动力汽车中的电机控制。
3. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理。
5. 各种需要高频开关和高效功率处理的应用场景。
GMC04CG681J40NT, IRFP260N, STP30NF65
