时间：2025/3/25 9:43:24
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GMC04CG511F100NT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管。该器件专为高频开关应用设计，具备卓越的导通电阻和快速开关性能，适用于电源适配器、快充设备、DC-DC转换器以及无线充电等应用场景。
该型号采用了先进的封装技术以增强散热性能，同时支持更高的工作频率和更低的损耗，从而提升整体系统效率。
类型：增强型场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：100A
导通电阻：40mΩ（典型值）
栅极电荷：75nC（典型值）
反向恢复电荷：无（由于是GaN技术）
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-4L
1. 高效的氮化镓材料使得该晶体管具有更低的导通电阻和开关损耗，与传统硅基MOSFET相比性能更优。
2. 极低的栅极电荷和输出电荷确保了更快的开关速度，有助于减少死区时间和提高系统效率。
3. 内置优化的ESD保护电路，提升了器件在恶劣环境下的可靠性。
4. 支持高达1MHz以上的开关频率，非常适合高频电力电子应用。
5. 封装采用大尺寸引脚设计，能够提供更好的散热路径，进一步增强了热管理能力。
1. USB-PD 快速充电器。
2. 高密度AC-DC电源适配器。
3. 工业级DC-DC转换器。
4. 无线充电发射端和接收端模块。
5. 电动工具和家电中的开关电源。
6. 数据中心和通信基站中的高效电源解决方案。
GMC04CG511F80NT, GMC04CG511F120NT
